현재 2나노 이하의 반도체를 만들수없었던 이유는 더이상 빛의 크기를 줄일수 없었던것과

양자 터널링에 의한 누설전류 현상때문이야.

빛의 크기를 줄이는것은 빛의 밀도를 낮추는 렌즈 필터 1/1000배를 통과시키고,

그에 맞는 축소 배율 렌즈를 통과시켜서 빛의 밀도 만큼 축소하면 되는 문제였는데,

여기서 큰 문제가 생기는거지.

첫번째는 2나노 이하의 크기가 고체 상태에서 유지될수있냐는거야.

0.001나노 크기로 웨이퍼를 현상했는데, 0.001나노 소자간의 간격이 너무 작은거지.

그러면 소자간의 사이에 양자터널링 현상뿐만 아니라 전하가 무전압에서도 통과되는 일이 생기는거야.

그래서 이 문제를 해결하기 위해서 0.001나노를 만들때 축소 배율을 1:1000배율로 축소하는데

축소 배율은 그대로 두되 소자간의 간격이 2나노에 맞게 그려낼수있도록,

마스크를 1/1000배로 축소해도 2나노 간격이 되도록 만느느거지.

그러면 단위면적당 소자갯수를 말하는 집적률은 0.001나노와 2나노가 동일한데,

절연체의 크기가 1/1000배로 줄어들면서 전성비가 좋아지는거야.

그 다음에는 집적률을 높이는건데, 어떻게 할꺼냐면 처음에 2나노 크기로 1번째 마스크로 현상을 하는거야.

그리고 여기서 0.001나노 마스크로 그 위에 다시 현상을 하는거지.

2나노 수율이 100%인데 그 위에 0.001나노로 마스크를 쏘아주면 1000배 이상의 트렌지스터를 그려넣을수있어.

그렇게 식각한뒤 그 위에 절연층으로 결합하고 트렌지스터로 쓰는거지.

0.001나노 반도체는 오직 유리, 절연체를 만드는데 사용하고, 나머지 전하 컨트롤은 2나노 크기에 적합하게 만들되,

전류를 보낼때 0.001나노에 맞게 전압을 낮춰서 보내주면되는거야.

0.001나노 안에서 1.5V면 되겠지.

이중 현상 기법으로 1차적으로 유리절연체가 1차 구조가 되도록 식각하고, 거기에 임플란트를 통해서,

빛에 의해 손상되지 않도록 만든뒤, 2차적으로 그 위에 0.001나노를 현상해서, 

반도체의 골격 구조를 유지하면서 0.001나노 절연체 트렌지스터를 만드는거야.

서로 독립된 트렌지스터지만 단위묶음으로 하나의 묶음당 10조개 ~ 100조개씩 뭉쳐있는거지.

여기서 수율이 10%만 되어도 엄청난 전성비와 높은 집적률을 가지게 되는데,

나중에는 이 0.001나노 반도체와 2나노 반도체를 결합해서 사용하는거지.

메인 칩셋에 메인 칩셋을 설치하고, 보조 칩셋 안에 보조칩셋을 넣는거야.

2나노 메인 CPU + 0.001나노 보조 CPU가 장착되어서, 시스템을 돌리는거지.

2나노보다 작은 물질을 만드는것이 어렵다면 유리를 0.0001나노의 빛으로 깍아 그 공간을 비워서 만드는

새로운 형태의 0.0001나노 트렌지스터를 만드는거지. 

소자를 이루는 원자의 최소한의 단위가 존재할수밖에 없는데, 

우리가 아는 실리콘 원자 하나에 트렌지스터 수백조개가 그려질수도있어.

그러면 원자 하나당 트렌지스터 수백조개가 생길수도있는데,

0.0001나노의 빛으로 쪼개는거지.

나중에는 수소를 순식간에 플라즈마 상태로 만들어, 쿼크 상태의 물질을 만들고, 

그 물질을 모아 압착해서 반도체 코팅에 사용될수도있어.

이것도 전부 미래의 기술이 되겠지만, 그 시간을 더 빠르게 앞당길수도있어.